
シリコンカーバイド:特集:主流になりつつある半導体
シリコンチップはほぼすべての電子製品に組み込まれていますが、用途によってはシリコンチップを超える効率が求められます。その中で、シリコンカーバイド(SiC)チップがシリコンに代わる高性能な選択肢として普及しています。VATの真空ソリューションにより、さらに多くの用途でSiCチップの持続可能な利用が実現されています。(読了目安:約2分)
ハイサイクル生産に適した品質で知られる06.1シリーズのダブルゲートデザイン(TWINVAT)が、新たに06.3シリーズにも採用されました。06.3シリーズは、ロードロック室とトランスファー室の間のトランスファーバルブとして、また全差圧が得られるすべてのアプリケーションに最適です。06.3シリーズは、06.1シリーズと同じコンセプトに基づき、高速モーションサイクルと優れたパーティクル防止機能を備えています。06.3シリーズは、06.1シリーズと同様に、バルブの一方のゲートを維持しながら、もう一方のゲートでトランスファーチャンバーを生産モードに保つ機能も備えています。これらのおなじみの性能に加えて、06.3シリーズには、「ウルトラクリーン」構成のほか、PVDやエアロックアプリケーション用の特別な高速バージョンも用意されています。06.3シリーズは、06.1シリーズと同様に、ハウジング付きのタイプと、チャンバー内に直接設置するスライドインタイプがあります。
06.3シリーズのトランスファーバルブは、数多くの設計オプションにより、特定の要件に合わせてカスタマイズされています。例えば、プロセスコントロールユニットの追加、硬質アルマイトやニッケルメッキなどの特殊な表面処理、その他のシール材、バルブハウジング内の圧力を検出するための真空ゲージ、ベローズで保護されたシャフトフィードスルー、バルブとゲートのRFおよびDC接地オプション、アクチュエータの横方向の取り付け位置などがあります。